芯联集成推出3300V SiC MOSFET，为固态变压器提供核心支撑

芯联集成（688469.SH）控股公司芯联动力日前正式宣布推出3300VSiCMOSFET器件，并已向核心客户送样验证。该产品填补了国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白，是AI基础设施电源及高压宽禁带半导体领域的重要突破。

随着生成式AI算力需求呈指数级增长，单AI机柜功率密度正向兆瓦级别迈进。英伟达年初宣布推动AI数据中心供电架构向800VHVDC演进，固态变压器（SST）成为AI数据中心领域的关键环节。

芯联集成此次推出的3300VSiCMOSFET器件，正是面向固态变压器等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制。该产品基于公司自研的8英寸碳化硅（SiC）工艺平台，采用高压平面栅SiCMOSFET技术，以更小的单元面积和更优的导通电阻-栅电荷优值（RDS(on)×QG），实现了导通与开关性能的平衡优化。

目前，公司已完成650V至3300V全电压段SiCMOSFET产品布局，新一代SiCG2.0工艺平台在能效与可靠性上实现进一步突破，8英寸SiC产线已实现大规模量产。