三星年底启动美国泰勒第二座晶圆厂建设，目标2030年投产

7月30日，三星电子在2026年第二季度财报电话会议上正式宣布，将于今年年底在得克萨斯州泰勒厂区启动第二座半导体晶圆厂（泰勒2号晶圆厂，TaylorFab2）的建设工作，目标在2030年实现量产。三星方面表示，尖端制程产能扩张速度已无法跟上市场需求。泰勒2厂的预估占地面积将高达约270万平方英尺，与目前正在施工中的泰勒1厂规模完全相同。三星在泰勒的半导体园区已获得约1268英亩土地，具备容纳最多10座先进晶圆厂的潜力。

泰勒1号晶圆厂的建设正按计划推进，预计将于2026年内投入运营。该厂投产后将逐步扩大2纳米工艺芯片的产能。此前有报道称，三星已在今年7月完成特斯拉AI5芯片的流片，采用2纳米工艺，接下来将在泰勒工厂进入量产准备阶段。

在更先进的制程布局方面，三星透露1.4纳米工艺已收到客户咨询且数量正在增加，公司正在探讨是否需要进一步扩充晶圆厂产能，具体计划将基于客户订单情况和协商内容分阶段逐步细化。在成熟制程方面，三星正将业务向高利润的3纳米工艺转换，并集中力量于技术壁垒较高的高附加值特殊工艺需求。

泰勒工厂是三星在美国最大的半导体投资项目之一。此前，三星已从美国政府获得64亿美元的芯片补贴，根据规划，三星在泰勒的整体投资预计到2030年将超过400亿美元。与此同时，三星预计全球芯片短缺情况2027年将更加恶化，一直持续到2028年。