长鑫科技科创板IPO获批，存储国产化驶入快车道

6月12日，中国DRAM龙头长鑫科技集团股份有限公司的科创板IPO注册申请获得证监会正式批复同意，注册制改革后科创板首单"预先审阅"试点项目历时165天完成审核，创下国内大型硬科技IPO审核效率新纪录。公司此次拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM存储器技术升级及前瞻技术研发三大项目，系科创板史上第二大IPO，仅次于中芯国际。

在AI算力需求爆发与全球DRAM产品供不应求的双重驱动下，长鑫科技业绩按下"加速键"。2026年第一季度，公司实现营收508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，同比增长1688.30%；扣非归母净利润263.41亿元，营收、净利润两项指标均居科创板所有上市公司首位。公司预计2026年上半年营收达1100亿至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润达500亿至570亿元，同比增长超22倍。

长鑫科技成立于2016年，是中国规模最大、技术最先进的DRAM研发设计制造一体化企业，在合肥、北京拥有三座12英寸DRAM晶圆厂，已成为中国第一、全球第四大DRAM厂商。公司采取"跳代研发"策略，完成从第一代到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的全系列覆盖，核心产品及工艺技术已达国际先进水平。

股权结构上，长鑫科技为无控股股东、无实际控制人架构，前五大股东包括清辉集电、长鑫集成、大基金二期、合肥集鑫、安徽省投等，合肥国资体系合计持股约37%；创始人朱一明通过激励平台将所获股份50%在上市后10年内全部分配给员工（不含其本人），强化人才绑定机制。

值得关注的是，国内另一存储巨头长江存储已于今年5月启动IPO辅导备案，两大国产存储原厂先后登陆A股，将借助资本市场募资加速产能扩张、设备材料国产化替代，带动上游刻蚀、薄膜、光刻配套及下游封测全产业链发展，补齐国内半导体存储板块长期短板。