最高法终裁维持禁售令，英飞凌氮化镓产品被禁止在中国境内销售

中国最高司法机关的一纸裁决，为这家德国半导体巨头在华业务划下了一道红线。

2026年6月12日，最高人民法院正式发出临时禁令复议裁定书，维持苏州中院针对英飞凌的销售禁令，意味着从此刻起，英飞凌相关氮化镓（GaN）产品被禁止在中国境内销售，英诺赛科取得了专利侵权案的最终胜利。

一纸禁令背后，是一场跨越中美欧三地的GaN功率半导体专利拉锯战，历时逾两年后终于迎来终局落定。

本案起源于2025年初，国产氮化镓功率器件厂商英诺赛科向江苏省苏州市中级人民法院提起诉讼，指控英飞凌科技（中国）有限公司、英飞凌科技（无锡）有限公司及代理商苏州芯沃科侵犯其两项自主研发的氮化镓核心发明专利，均涉及氮化镓功率器件及其制备方法，是英诺赛科在第三代半导体领域的重要技术成果。

在侵权诉讼推进的同时，英飞凌向中国国家知识产权局请求宣告英诺赛科两项专利无效。2025年11月19日，CNIPA作出裁定，全面维持两项专利的有效性；英飞凌随即向北京知识产权法院提起行政诉讼，2026年4月被全面驳回，专利权有效性争议就此尘埃落定。

2026年5月27日，苏州中院作出一审判决：认定英飞凌侵权成立，判令其立即停止销售、许诺销售、进口等侵权行为，并赔偿英诺赛科经济损失合计1000万元，判决立即生效，随同判决书同时送达的还有两张诉中临时禁令裁定。英飞凌随即向最高人民法院申请复议，然而最高法经审理于6月12日驳回其全部复议请求，裁定维持苏州中院禁令，英飞凌无法再继续上诉。

GaN作为第三代半导体核心材料，具有更高功率密度、更快开关速度和更低能量损耗等优势，被广泛应用于快充、AI数据中心电源、新能源汽车等领域，是下一代功率半导体制高点。

业内分析指出，此案释放了一个明确信号：中国司法体系对本土企业自主知识产权的保护力度正在加强，“专利武器化”已非跨国巨头专属特权。随着禁令落地，中国氮化镓市场竞争格局将迎来重塑。