SK海力士美国首座HBM工厂动工：投资超40亿美元

当地时间8月27日，SK海力士在美国印第安纳州西拉斐特普渡大学举行首座美国工厂奠基仪式。该工厂投资逾40亿美元，将成为SK海力士在美国的首个高带宽内存（HBM）先进封装基地。

SK海力士CEO郭鲁正在奠基仪式上表示，该工厂将使印第安纳州到2030年成为“美国关键的HBM生产基地”。工厂将主要负责先进封装——将韩国生产的晶圆运至美国完成堆叠与连接。首座洁净室预计2028年10月启用，2029年下半年启动下一代HBM量产。全面投产后将雇用约1000名员工，并带动约7000个直接与间接就业岗位。

郭鲁正明确警告，当前HBM供应短缺将持续至2030年底。他预计即便未来市场增速放缓，也更可能是需求增速下降而非大幅萎缩，对2030年以后前景并不担忧。SK海力士正推进规模达7200亿美元的扩产计划，大部分在韩国本土进行，包括全球最大的存储芯片晶圆厂园区。

该项目获得美国《芯片与科学法案》支持，可获最高4.58亿美元直接补贴及最高5亿美元贷款，潜在政府资金合计达9.58亿美元。印第安纳州长迈克·布劳恩称其为“印第安纳州历史上规模最大的开发项目”。

不过，美国商务部长卢特尼克今年7月曾要求SK海力士及三星电子在美国建设先进存储芯片晶圆制造厂，而非仅限于封装。郭鲁正回应称SK海力士正在寻找合适机会，“对任何地点、任何国家都持开放态度”。他同时表示，到2030年SK海力士在美投资及资产总额预计超450亿美元。