韩国豪掷5000亿韩元攻坚功率半导体

韩国政府正试图在功率半导体领域复刻存储芯片的成功故事。6月14日，韩国副总理兼经济财政部长官具允哲在紧急经济指挥部会议上，正式敲定了“超级创新经济项目”细则，计划投入5000亿韩元（约合22.3亿元人民币）国家资金专项攻关下一代功率半导体技术，若算上民间配套资金，项目总规模预计将膨胀至7500亿韩元（约合4.94亿美元）。

韩国产业通商资源部此前已成立专项工作组，升级釜山、浦项等地的专业园区晶圆厂，目标到2030年将功率半导体技术与产能自给率提升一倍。具允哲在会上明确表示：“我们将认真推进结构性改革和超创新经济项目，以发现第二、第三个半导体等未来增长引擎”，首尔经济日报亦报道称，韩国正将功率半导体定位为堪比存储芯片的核心战略产业。

此次攻关的焦点集中在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体上，重点突破高温、高压、高频环境下的器件性能难题。技术路线明确后，韩国将同步推进8英寸化合物功率半导体晶圆厂基础设施建设，计划2027年实现1200VSiCMOSFET等核心器件量产。研发成果将覆盖AI数据中心、新能源汽车、智能电网及航空航天等多元场景。

政府将构建“需求企业+Fabless设计企业+晶圆代工企业”联盟模式，保障研发成果快速落地应用。值得一提的是，韩国政府已要求所有使用功率半导体的企业参加此项研发计划，意图借此构建完整产业生态体系，加速功率半导体产业的成长壮大。

韩国此次重金押注，正值功率半导体行业迎来新一轮结构性上行周期。

工银瑞信基金6月研报指出，全球功率半导体呈现结构性紧缺，MOSFET、第三代半导体器件价格持续上涨，部分企业年内已二度调价。海外英飞凌已自4月起上调全系功率元件报价5%至15%，德州仪器宣布7月开启第二轮涨价，国内厂商同步跟进。供给端8英寸晶圆产能持续收缩——台积电、三星持续缩减8寸产线，全球8寸晶圆厂平均稼动率已抬升至85%至90%，供需缺口加速放大，景气度预计贯穿2026全年。

需求端的核心增量来自AI数据中心和新能源车两大引擎。英伟达已全面落地800V高压直流供电架构，单个AI机柜功率器件价值量高达10万美元，为SiC/GaN器件的规模化应用提供了广阔空间；新能源车领域，纯电动车单车搭载功率元件数量较燃油车提升13倍，单车价值提升5倍，800V高压平台加速普及直接拉动车规级SiCMOSFET需求。