​国产存储双雄同步冲击A股：万亿赛道迎史诗级时刻

中国半导体存储产业正迎来资本市场里程碑。5月17日，长鑫科技更新科创板IPO招股书；仅隔两日，5月19日，长江存储控股股份有限公司正式完成IPO辅导备案。国产存储“双雄”同步冲刺A股，象征着中国存储产业正式迈入资本化新阶段。

业绩炸裂，估值对标万亿量级

长鑫科技更新的招股书数据堪称震撼：2026年一季度，公司实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，同比暴增1688%。公司预计上半年归母净利润将达到500亿至570亿元，全年净利润突破千亿元几成定局。值得注意的是，长鑫科技单季盈利已超过科创板605家上市公司归母净利润总和（剔除中芯国际、华虹公司、百济神州），历时92天便填平了此前累计366亿元的历史亏空。

长江存储同样势头迅猛。据市场研究机构数据，其2026年第一季度营收突破200亿元，同比实现翻倍增长。在全球NANDFlash市场，公司出货量份额已超过10%，正加速逼近国际一线厂商。

在估值层面，资本市场给予极高预期。长鑫科技此次IPO拟募资295亿元，有望成为科创板开板以来募资规模第二大的IPO项目。有机构按2026年归母净利润1500亿至2000亿元、20倍市盈率测算，长鑫科技市值有望达到3万亿至4万亿元。长江存储母公司长存集团2025年9月股改后估值约1616亿元，市场普遍预计上市后市值将达5000亿元以上。

AI驱动超级周期，供需缺口持续扩大

双雄业绩的集中爆发并非巧合。高盛近期研报明确指出，全球存储芯片市场正面临近15年来最严重的供应短缺，2026年全球DRAM、NANDFlash供需缺口均创2011年以来新高，预计紧张局势将持续至2027年甚至更久。核心驱动力来自AI需求爆发——单台AI服务器对DRAM的需求量是传统服务器的8至10倍，NAND用量约为3倍以上。

TrendForce数据显示，2026年第二季度传统DRAM合约价预计继续上涨58%至63%，NANDFlash上涨70%至75%。高盛将2026年DRAM全年价格涨幅预测从此前的约150%大幅上调至250%至280%，NAND涨幅从约100%上调至200%至250%。

产业链共振，国产替代加速

双雄上市带来的结构性机遇正沿着产业链传导。目前，长江存储武汉三期工厂国产设备占比已达52%，刻蚀机、薄膜沉积等关键设备国产化率超过60%；长鑫科技国产设备占比也达45%。随着两大巨头IPO募资到位，后续大规模扩产将直接拉动北方华创、中微公司、拓荆科技等国产设备厂商的订单增长，鼎龙股份、安集科技等材料供应商亦有望随产能爬坡迎来量价齐升。

然而，全球存储市场长期由三星、SK海力士、美光三巨头垄断超过90%份额，长鑫科技（全球DRAM第四、市占率约4.5%）和长江存储（NAND出货量份额约13%）与国际巨头仍有显著差距，尤其在HBM（高带宽内存）等高端品类上存在短板。存储行业的强周期特征也意味着，当国际巨头补足产能后，市场可能进入下行周期，暴利能否持续面临考验。

正如业内人士所指出的，国产存储双雄的竞争对手早已不是国内同行，而是国际巨头。从自主创新溢价到全球市场份额对标，这个转变将深刻重塑全球存储产业格局。