SK海力士与闪迪联合发布HBF首套标准规范，AI推理存储迎来新层级

8月4日，SK海力士联合闪迪（Sandisk）在2026年闪存峰会（FMS2026）上，正式发布下一代存储技术——高带宽闪存（HighBandwidthFlash，HBF）的首个标准规范。这一技术介于高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）之间，旨在为AI推理时代提供兼具高带宽与大容量的新型存储方案。

此次标准发布，是继2025年8月双方启动HBF标准化合作、2026年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。在标准化推进过程中，谷歌与Tenstorrent也正式加入HBF联盟，并在技术验证与标准制定中发挥了重要作用。

HBF属于介于HBM与SSD之间的新型存储层级。它通过类似HBM的封装与互连方式，将多个NAND闪存芯片垂直堆叠起来，兼具接近HBM的高速数据传输能力，同时依托NAND闪存技术实现存储容量的大幅扩展。

现代AI推理系统需要将高带宽存储部署在靠近计算核心的位置，而随着AI大模型发展，对靠近计算单元的更大容量存储需求持续增长。单一存储器产品已难以满足需求，因此需要采用“分层存储器”（TieredMemory）架构，整合特性互补的多种存储器协同优化。HBF正是这一分层架构中的关键一环。

从应用场景看，HBF尤其适合承接读多写少、可预取的数据层，如共享KVCache中的部分历史块以及部分权重/参数分片；而时延最敏感、更新最频繁的数据仍应优先由HBM承接。

此次发布的另一大看点是HBF生态的扩容。谷歌与Tenstorrent的加入，为HBF的技术验证与标准制定提供了重要支撑。

与此同时，SK海力士还在FMS2026展台上首次公开展示了第十代（V10）375层4DNAND闪存晶圆与产品。较上一代，其性能功耗比提升了2.5倍，特别适用于对性能与能效要求极高的AI数据中心环境。SK海力士计划于2027年初启动基于该NAND闪存的高性能、大容量企业级固态硬盘（eSSD）量产。

闪迪首席技术官AlperIlkbahar表示：“AI推理正在带来一系列新的存储需求，而HBF技术正是为满足这一需求而设计的。这项规范为系统设计者提供了一条切实可行的路径，使高容量、高带宽存储能够更加靠近计算单元。”SK海力士计划以此为契机，加快HBF在AI存储市场的规模化落地，并加速构建产业生态。